Substrato PMN-PT
Descrizione
Il cristallo PMN-PT è noto per il suo coefficiente di accoppiamento elettromeccanico estremamente elevato, l'elevato coefficiente piezoelettrico, l'elevata deformazione e la bassa perdita dielettrica.
Proprietà
| Composizione chimica | ( PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x |
| Struttura | R3m, romboedrico |
| Reticolo | a0 ~ 4.024Å |
| Punto di fusione（℃） | 1280 |
| Densità (g/cm3) | 8.1 |
| Coefficiente piezoelettrico d33 | >2000 pz/N |
| Perdita dielettrica | tan<0,9 |
| Composizione | vicino al confine della fase morfotropica |
Definizione del substrato PMN-PT
Il substrato PMN-PT si riferisce a un film sottile o wafer realizzato in materiale piezoelettrico PMN-PT.Serve come base di supporto o base per vari dispositivi elettronici o optoelettronici.
Nel contesto di PMN-PT, un substrato è tipicamente una superficie rigida piana su cui è possibile far crescere o depositare strati o strutture sottili.I substrati PMN-PT sono comunemente usati per fabbricare dispositivi come sensori piezoelettrici, attuatori, trasduttori e raccoglitori di energia.
Questi substrati forniscono una piattaforma stabile per la crescita o la deposizione di strati o strutture aggiuntivi, consentendo l'integrazione delle proprietà piezoelettriche del PMN-PT nei dispositivi.La forma a film sottile o wafer dei substrati PMN-PT può creare dispositivi compatti ed efficienti che beneficiano delle eccellenti proprietà piezoelettriche del materiale.
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L'elevata corrispondenza reticolare si riferisce all'allineamento o alla corrispondenza delle strutture reticolari tra due materiali diversi.Nel contesto dei semiconduttori MCT (tellururo di mercurio-cadmio), è auspicabile un adattamento reticolare elevato poiché consente la crescita di strati epitassiali di alta qualità e privi di difetti.
L'MCT è un materiale semiconduttore composto comunemente utilizzato nei rilevatori a infrarossi e nei dispositivi di imaging.Per massimizzare le prestazioni del dispositivo, è fondamentale far crescere strati epitassiali MCT che corrispondano strettamente alla struttura reticolare del materiale del substrato sottostante (tipicamente CdZnTe o GaAs).
Ottenendo un elevato adattamento reticolare, l'allineamento dei cristalli tra gli strati viene migliorato e i difetti e la tensione all'interfaccia vengono ridotti.Ciò porta a una migliore qualità cristallina, migliori proprietà elettriche e ottiche e migliori prestazioni del dispositivo.
Un'elevata corrispondenza del reticolo è importante per applicazioni come l'imaging e il rilevamento a infrarossi, dove anche piccoli difetti o imperfezioni possono ridurre le prestazioni del dispositivo, influenzando fattori quali sensibilità, risoluzione spaziale e rapporto segnale-rumore.
