Substrato SiC
Descrizione
Il carburo di silicio (SiC) è un composto binario del Gruppo IV-IV, è l'unico composto solido stabile del Gruppo IV della tavola periodica, è un importante semiconduttore.Il SiC ha eccellenti proprietà termiche, meccaniche, chimiche ed elettriche, che lo rendono uno dei migliori materiali per realizzare dispositivi elettronici ad alta temperatura, alta frequenza e alta potenza, il SiC può anche essere utilizzato come materiale di substrato per diodi emettitori di luce blu basati su GaN.Attualmente, 4H-SiC è il prodotto principale sul mercato e il tipo di conduttività è suddiviso in tipo semiisolante e tipo N.
Proprietà
| Articolo | Tipo N da 2 pollici 4H | ||
| Diametro | 2 pollici (50,8 mm) | ||
| Spessore | 350+/-25um | ||
| Orientamento | fuori asse 4,0˚ verso <1120> ± 0,5˚ | ||
| Orientamento piatto primario | <1-100> ± 5° | ||
| Appartamento secondario Orientamento | 90.0˚ CW dal piano primario ± 5.0˚, Si rivolto verso l'alto | ||
| Lunghezza piatta primaria | 16 ± 2,0 | ||
| Lunghezza piatta secondaria | 8 ± 2,0 | ||
| Grado | Grado di produzione (P) | Grado di ricerca (R) | Grado fittizio (D) |
| Resistività | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Densità del microtubo | ≤ 1 microtubi/cm² | ≤ 1 0microtubi/cm² | ≤ 30 microtubi/cm² |
| Ruvidezza della superficie | Si faccia CMP Ra <0,5 nm, C faccia Ra <1 nm | N/A, area utilizzabile > 75% | |
| TTV | < 8 um | <10um | < 15 um |
| Arco | <±8 um | <±10um | <±15um |
| Ordito | < 15 um | < 20 um | < 25 um |
| Crepe | Nessuno | Lunghezza cumulativa ≤ 3 mm | Lunghezza cumulativa ≤10mm, |
| Graffi | ≤ 3 graffi, cumulativi | ≤ 5 graffi, cumulativi | ≤ 10 graffi, cumulativi |
| Piastre esagonali | massimo 6 piatti, | massimo 12 piatti, | N/A, area utilizzabile > 75% |
| Aree di politipo | Nessuno | Area cumulativa ≤ 5% | Area cumulativa ≤ 10% |
| Contaminazione | Nessuno | ||
