Substrato LiAlO2
Descrizione
LiAlO2 è un eccellente substrato cristallino a pellicola.
Proprietà
Struttura di cristallo | M4 |
Costante di cella unitaria | a=5,17 A c=6,26 A |
Punto di fusione (℃) | 1900 |
Densità(g/cm3) | 2.62 |
Durezza (Mho) | 7.5 |
Lucidatura | Singolo o doppio o senza |
Orientamento del cristallo | <100> <001> |
La definizione del substrato LiAlO2
Il substrato LiAlO2 si riferisce ad un substrato costituito da ossido di litio e alluminio (LiAlO2).LiAlO2 è un composto cristallino appartenente al gruppo spaziale R3m e ha una struttura cristallina triangolare.
I substrati LiAlO2 sono stati utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui la crescita di film sottili, strati epitassiali ed eterostrutture per dispositivi elettronici, optoelettronici e fotonici.Grazie alle sue eccellenti proprietà fisiche e chimiche, è particolarmente adatto per lo sviluppo di dispositivi a semiconduttore ad ampio gap di banda.
Una delle principali applicazioni dei substrati LiAlO2 è nel campo dei dispositivi basati sul nitruro di gallio (GaN) come i transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) e i diodi a emissione di luce (LED).Il disadattamento reticolare tra LiAlO2 e GaN è relativamente piccolo, rendendolo un substrato adatto per la crescita epitassiale di film sottili di GaN.Il substrato LiAlO2 fornisce un modello di alta qualità per la deposizione di GaN, con conseguente miglioramento delle prestazioni e dell'affidabilità del dispositivo.
I substrati LiAlO2 vengono utilizzati anche in altri campi come la crescita di materiali ferroelettrici per dispositivi di memoria, lo sviluppo di dispositivi piezoelettrici e la fabbricazione di batterie a stato solido.Le loro proprietà uniche, come l'elevata conduttività termica, la buona stabilità meccanica e la bassa costante dielettrica, offrono loro vantaggi in queste applicazioni.
In sintesi, il substrato LiAlO2 si riferisce a un substrato costituito da ossido di litio e alluminio.I substrati LiAlO2 sono utilizzati in varie applicazioni, in particolare per la crescita di dispositivi basati su GaN e lo sviluppo di altri dispositivi elettronici, optoelettronici e fotonici.Possiedono proprietà fisiche e chimiche desiderabili che li rendono adatti alla deposizione di film sottili ed eterostrutture e migliorano le prestazioni del dispositivo.