Substrato di Ge
Descrizione
Il cristallo singolo Ge è un eccellente semiconduttore per l'industria degli infrarossi e dei circuiti integrati.
Proprietà
| Metodo di crescita | Metodo Czochralski | ||
| Struttura di cristallo | M3 | ||
| Costante di cella unitaria | a=5,65754Å | ||
| Densità（g/cm3） | 5.323 | ||
| Punto di fusione（℃） | 937,4 | ||
| Materiale drogato | Nessun dopato | Sb-drogato | In / Ga – drogato |
| Tipo | / | N | P |
| Resistività | >35Ωcm | 0,05Ωcm | 0,05~0,1Ωcm |
| EPD | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 |
| Misurare | 10x3,10x5,10x10,15x15,20x15,20x20, | ||
| diametro 2” x 0,33 mm diametro 2” x 0,43 mm 15 x 15 mm | |||
| Spessore | 0,5 mm, 1,0 mm | ||
| Lucidatura | Singolo o doppio | ||
| Orientamento del cristallo | <100>、<110>、<111>、±0,5º | ||
| Ra | ≤5Å（5μm×5μm） | ||
La definizione del substrato Ge
Il substrato Ge si riferisce a un substrato costituito da elemento germanio (Ge).Il germanio è un materiale semiconduttore con proprietà elettroniche uniche che lo rendono adatto a una varietà di applicazioni elettroniche e optoelettroniche.
I substrati di Ge sono comunemente usati nella produzione di dispositivi elettronici, soprattutto nel campo della tecnologia dei semiconduttori.Sono utilizzati come materiali di base per depositare film sottili e strati epitassiali di altri semiconduttori come il silicio (Si).I substrati di Ge possono essere utilizzati per far crescere eterostrutture e strati di semiconduttori composti con proprietà specifiche per applicazioni quali transistor ad alta velocità, fotorilevatori e celle solari.
Il germanio viene utilizzato anche nella fotonica e nell'optoelettronica, dove può essere utilizzato come substrato per la crescita di rilevatori e lenti a infrarossi (IR).I substrati di Ge hanno proprietà richieste per le applicazioni a infrarossi, come un ampio intervallo di trasmissione nella regione del medio infrarosso ed eccellenti proprietà meccaniche a basse temperature.
I substrati di Ge hanno una struttura reticolare molto simile a quella del silicio, che li rende compatibili per l'integrazione con l'elettronica basata sul Si.Questa compatibilità consente la fabbricazione di strutture ibride e lo sviluppo di dispositivi elettronici e fotonici avanzati.
In sintesi, un substrato di Ge si riferisce a un substrato costituito da germanio, un materiale semiconduttore utilizzato in applicazioni elettroniche e optoelettroniche.Serve come piattaforma per la crescita di altri materiali semiconduttori, consentendo la fabbricazione di vari dispositivi nei campi dell'elettronica, dell'optoelettronica e della fotonica.
